IQE022N06LM5CGATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE022N06LM5CGATMA1 بواسطة Infineon و IQDH35N03LM5SCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IQE022N06LM5CGATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Ch MOSFET, 2.2mΩ | Infineon
IQE022N06LM5CGATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IQE022N06LM5CGATMA1 | IQDH35N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 | — |
| Technology | N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode) | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C | 151 A | — |
| R_DS(on) (typical, V_GS=10V) | 2.2 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: Q_G value] | — |
| Power Dissipation (T_A) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (T_C) | 100 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | -55 C to +175 C |
| العلبة | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 mm) | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 9 (with exposed thermal pad) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 0.35 mOhm @ VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| مستوى MSL | — | 1 (unlimited) |
| Marking | — | IQDH35N03LM5S |