IQE022N06LM5CGATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE022N06LM5CGATMA1 بذریعہ Infineon اور IQDH35N03LM5SCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE022N06LM5CGATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Ch MOSFET, 2.2mΩ | Infineon
IQE022N06LM5CGATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE022N06LM5CGATMA1 | IQDH35N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 | — |
| Technology | N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode) | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C | 151 A | — |
| R_DS(on) (typical, V_GS=10V) | 2.2 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: Q_G value] | — |
| Power Dissipation (T_A) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (T_C) | 100 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C | -55 C to +175 C |
| پیکیج | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 mm) | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 9 (with exposed thermal pad) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 0.35 mOhm @ VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| MSL لیول | — | 1 (unlimited) |
| Marking | — | IQDH35N03LM5S |