IQE022N06LM5CGSCATMA1 vs IQE018N06NM6CGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE022N06LM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon و IQE018N06NM6CGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQE022N06LM5CGSCATMA1 | IQE018N06NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 151 A | — |
| Continuous Drain Current (TA) | 24 A | — |
| Maximum Power Dissipation (TC) | 100 W | — |
| Maximum Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| RDS(on) Maximum at VGS=10V | 2.2 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.3 V (typ) | — |
| العلبة | PG-WHTFN-9 (5x6 mm) | PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | -55C to +175C (junction) |
| Technology Family | OptiMOS 5 | — |
| عدد الأطراف | 9 (PG-WHTFN-9) | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 6 60V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 178 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | — | 25 A |
| R_DS(on) max (V_GS=10 V) | — | 1.8 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.3 V (logic-level compatible) |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 125 W |
| Technology | — | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| RoHS Compliance | — | Compliant |