IQE022N06LM5CGSCATMA1 vs IQE018N06NM6CGATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQE022N06LM5CGSCATMA1 מאת Infineon ו IQE018N06NM6CGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IQE022N06LM5CGSCATMA1 | IQE018N06NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 151 A | — |
| Continuous Drain Current (TA) | 24 A | — |
| Maximum Power Dissipation (TC) | 100 W | — |
| Maximum Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| RDS(on) Maximum at VGS=10V | 2.2 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.3 V (typ) | — |
| מארז | PG-WHTFN-9 (5x6 mm) | PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +150C | -55C to +175C (junction) |
| Technology Family | OptiMOS 5 | — |
| מספר פינים | 9 (PG-WHTFN-9) | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 6 60V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 178 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | — | 25 A |
| R_DS(on) max (V_GS=10 V) | — | 1.8 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.3 V (logic-level compatible) |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 125 W |
| Technology | — | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| RoHS Compliance | — | Compliant |