IQE022N06LM5CGSCATMA1 vs IQE018N06NM6CGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE022N06LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE018N06NM6CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQE022N06LM5CGSCATMA1 IQE022N06LM5CGSCATMA1 - 60V 151A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE022N06LM5CGSCATMA1 - 60V 151A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE022N06LM5CGSCATMA1 ✓ فعال
Infineon
IQE018N06NM6CGATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 - 60V 178A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6CGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQE022N06LM5CGSCATMA1 IQE018N06NM6CGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (TC) 151 A —
Continuous Drain Current (TA) 24 A —
Maximum Power Dissipation (TC) 100 W —
Maximum Power Dissipation (TA) 2.5 W —
RDS(on) Maximum at VGS=10V 2.2 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.3 V (typ) —
پیکیج PG-WHTFN-9 (5x6 mm) PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55C to +175C (junction)
Technology Family OptiMOS 5 —
پن کی تعداد 9 (PG-WHTFN-9) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL Level] —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 6 60V
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 178 A
Continuous Drain Current (I_D, Ta) — 25 A
R_DS(on) max (V_GS=10 V) — 1.8 mΩ
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.3 V (logic-level compatible)
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 125 W
Technology — Trench MOSFET, OptiMOS 6
RoHS Compliance — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں