IQE031N08LM6CGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE031N08LM6CGSCATMA1 بواسطة Infineon و IQE050N08NM5CGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IQE031N08LM6CGSCATMA1 IQE031N08LM6CGSCATMA1 - 80V OptiMOS 6 N-Ch MOSFET 127A | Infineon

IQE031N08LM6CGSCATMA1 - 80V OptiMOS 6 N-Ch MOSFET 127A | Infineon

IQE031N08LM6CGSCATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IQE031N08LM6CGSCATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 (40 V to 100 V) —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS max) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 127 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
On-State Resistance RDS(on) max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10 V] —
Gate Drive Level Logic-level —
العلبة PG-WHTFN-9 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate) PG-TTFN-9-1 (Surface Mount)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C (junction, typical for OptiMOS 6) —
Avalanche Tested 100% avalanche tested —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon PQFN) [DATA_NEEDED: MSL rating]
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (Ta) — 16 A
Continuous Drain Current (Tc) — 101 A
On-Resistance RDS(on) Max — 5.0 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 100 W
Technology — OptiMOS 5 (Source-Down)
Gate Threshold Vgs(th) Typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
درجة حرارة التشغيل — -55°C to +175°C (TJ max)
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر