IQE036N08NM6CGSCATMA1 vs IQDH35N03LM5CGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE036N08NM6CGSCATMA1 بواسطة Infineon و IQDH35N03LM5CGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 - 30V 700A 0.35mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5CGATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IQE036N08NM6CGSCATMA1 | IQDH35N03LM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 6 | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 16.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 118 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 125 W | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| العلبة / الحالة | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 6) | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Configuration | Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) | -55 °C to +175 °C |
| Packing | Tape and Reel (suffix ATMA1) | — |
| Voltage Rating | 60 V to 100 V category (80 V nominal) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V) |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| العلبة | — | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) |
| مستوى MSL | — | 1 |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Channel Type | — | N-Channel |