IQE036N08NM6CGSCATMA1 vs IQDH35N03LM5CGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE036N08NM6CGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQDH35N03LM5CGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQE036N08NM6CGSCATMA1 IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGSCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQE036N08NM6CGSCATMA1 IQDH35N03LM5CGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 6 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 16.7 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 118 A —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 125 W —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Paket / Kas PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 6) OptiMOS 5 trench MOSFET
Configuration Source Down, Center Gate, Dual-Side Cooling —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (junction, per datasheet derating curves) -55 °C to +175 °C
Packing Tape and Reel (suffix ATMA1) —
Voltage Rating 60 V to 100 V category (80 V nominal) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 66 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.35 mΩ (typical at VGS=10 V)
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 278 W
Paket — PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²)
MSL Seviyesi — 1
Klorürsüz — Yes
Channel Type — N-Channel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin