IQE050N08NM5CGATMA1 vs IQD016N08NM5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE050N08NM5CGATMA1 بواسطة Infineon و IQD016N08NM5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQE050N08NM5CGATMA1 | IQD016N08NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 16 A | 31 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | 101 A | 323 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | 5.0 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | 333 W |
| العلبة | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (Source-Down) | OptiMOS 5 Power-MOSFET |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C to +175°C (TJ max) | — |
| Total Gate Charge Qg Typ | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.6 mΩ |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |