IQE050N08NM5CGATMA1 vs IQD016N08NM5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE050N08NM5CGATMA1 tarafından Infineon ve IQD016N08NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IQE050N08NM5CGATMA1 | IQD016N08NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 16 A | 31 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | 101 A | 323 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | 5.0 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | 333 W |
| Paket | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (Source-Down) | OptiMOS 5 Power-MOSFET |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| İşletim Sıcaklığı | -55°C to +175°C (TJ max) | — |
| Total Gate Charge Qg Typ | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.6 mΩ |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C (junction, standard MOSFET rating) |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |