IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQE065N10NM5CGSCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 بواسطة Infineon و IQE065N10NM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 | IQE065N10NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 54 A | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 422 A | — |
| RDS(on) Max | 0.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 2 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 150 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| العلبة | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 7 | OptiMOS 5 |
| Technology | Silicon N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 5 trench-gate |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C | — | 85 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 6.5 mOhm |
| Power Dissipation at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC | — | 100 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +150 C |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |