IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs IQEH54NE2LM7UCGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 بواسطة Infineon و IQEH54NE2LM7UCGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 IQEH54NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon

IQEH54NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon

IQEH54NE2LM7UCGATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 IQEH54NE2LM7UCGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor OptiMOS 7 Power-Transistor
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) Max 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 54 A —
Continuous Drain Current (Tc) 422 A —
Maximum On-Resistance (Rds(on)) 0.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.7 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Maximum Junction Temperature +175 degrees C —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 degrees C to +175 degrees C -55C to +150C (typical MOSFET range)
العلبة PG-TTFN-9-3 PG-TTFN-9-3
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 7 (Trench-Gate) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Qualification Industrial grade per Infineon datasheet —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 52 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 406 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS — [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical in nC]
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر