IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs IQEH54NE2LM7UCGATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 توسط Infineon و IQEH54NE2LM7UCGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 IQEH54NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon

IQEH54NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon

IQEH54NE2LM7UCGATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 IQEH54NE2LM7UCGATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor OptiMOS 7 Power-Transistor
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) Max 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 54 A —
Continuous Drain Current (Tc) 422 A —
Maximum On-Resistance (Rds(on)) 0.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.7 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Maximum Junction Temperature +175 degrees C —
محدوده دمای کاری -55 degrees C to +175 degrees C -55C to +150C (typical MOSFET range)
بسته‌بندی PG-TTFN-9-3 PG-TTFN-9-3
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 7 (Trench-Gate) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Qualification Industrial grade per Infineon datasheet —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 52 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 406 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS — [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical in nC]
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت