IQEH68NE2LM7UCGATMA1 vs IQE013N04LM6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQEH68NE2LM7UCGATMA1 بواسطة Infineon و IQE013N04LM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IQE013N04LM6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta 47 A —
Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc 338 A —
Power Dissipation (PD) @ Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) @ Tc 130 W —
Gate Threshold Voltage Type Logic-level (per OptiMOS 7 family) —
On-Resistance Family RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) -55 °C to +175 °C
العلبة PG-TTFN-9-3 (surface mount) PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
حالة RoHS Compliant (per distributor listing) Compliant
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET OptiMOS N-channel trench MOSFET
Packaging Tape & Reel (per ATMA1 suffix) —
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (Ta) — 31 A
Continuous Drain Current (Tc) — 205 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 107 W
On-Resistance RDS(on) max — [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) typ — 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V (typ)
Source-Down Topology — Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر