IQEH68NE2LM7UCGATMA1 vs IQE013N04LM6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQEH68NE2LM7UCGATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE013N04LM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IQE013N04LM6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ Ta 47 A —
Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc 338 A —
Power Dissipation (PD) @ Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) @ Tc 130 W —
Gate Threshold Voltage Type Logic-level (per OptiMOS 7 family) —
On-Resistance Family RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) -55 °C to +175 °C
پیکیج PG-TTFN-9-3 (surface mount) PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL Level] —
RoHS اسٹیٹس Compliant (per distributor listing) Compliant
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET OptiMOS N-channel trench MOSFET
Packaging Tape & Reel (per ATMA1 suffix) —
Polarity — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (Ta) — 31 A
Continuous Drain Current (Tc) — 205 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 107 W
On-Resistance RDS(on) max — [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V]
On-Resistance RDS(on) typ — 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V (typ)
Source-Down Topology — Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں