IQEH68NE2LM7UCGATMA1 vs IQE013N04LM6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IQEH68NE2LM7UCGATMA1 bằng Infineon và IQE013N04LM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IQEH68NE2LM7UCGATMA1 | IQE013N04LM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | 47 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc | 338 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc | 130 W | — |
| Gate Threshold Voltage Type | Logic-level (per OptiMOS 7 family) | — |
| On-Resistance Family | RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) | -55 °C to +175 °C |
| Hộp | PG-TTFN-9-3 (surface mount) | PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (per distributor listing) | Compliant |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | OptiMOS N-channel trench MOSFET |
| Packaging | Tape & Reel (per ATMA1 suffix) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 205 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 107 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] |
| On-Resistance RDS(on) typ | — | 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V (typ) |
| Source-Down Topology | — | Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) |