IR2104SPBF vs IRS2101STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2104SPBF بواسطة Infineon و IRS2101STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2104SPBF IRS2101STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Half-bridge gate driver —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2
Configuration High and Low Side —
Input Type Logic (non-inverting) —
Maximum Offset / Bootstrap Supply Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Range (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source Current 130 mA typical —
Output Sink Current 270 mA typical —
Propagation Delay 680 ns typical —
زمن الصعود 160 ns typical —
زمن السقوط 60 ns typical —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/LSTTL 3.3 V / 5 V / 15 V
Undervoltage Lockout Yes (VCC UVLO) Yes (VCC and VBS)
Deadtime Internally set —
Cross-Conduction Prevention Yes —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة 8-pin SOIC 8-SOIC (SOIC-8)
حالة RoHS Compliant (PBF suffix indicates lead-free) Compliant (PBF suffix)
Driver Type — High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
عدد المخارج — 2-OUT
تكوين الخرج — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.6 A
VS Transient Range — -5 V to +600 V (logic operational)
Propagation Delay Matching — Matched both channels
dV/dt Immunity — Yes (latch-immune CMOS)
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
نوع التركيب — Surface Mount
Packaging — Tape & Reel (TRPBF)
Technology — HVIC + latch-immune CMOS

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر