IR2104STRPBF vs IR2101STRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2104STRPBF بواسطة Infineon و IR2101STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IR2104STRPBF | IR2101STRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Product Type | Half-Bridge Gate Driver IC | — |
| Configuration | High-side and low-side referenced output channels | Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent |
| عدد المخارج | 2 (high-side + low-side) | — |
| Offset Voltage (High-Side, Max) | 600 V | — |
| Gate Drive Supply Voltage (VCC) | 10 V to 20 V | 10 V to 20 V |
| Output Source Current (typ) | 0.21 A | — |
| Output Sink Current (typ) | 0.36 A | — |
| Rise Time (typ) | 100 ns | — |
| Fall Time (typ) | 50 ns | — |
| Propagation Delay (typ) | 680 ns | — |
| Turn-On Propagation Delay (typ) | 150 ns | — |
| Turn-Off Propagation Delay (typ) | 130 ns | — |
| Quiescent Current (VCC/VBS, typ) | 150 uA | — |
| Input Logic Compatibility | 3.3 V, 5 V, 15 V logic | — |
| Shutdown Pin | Yes (active-low shutdown input) | — |
| Undervoltage Lockout | Yes (VCC and VBS) | — |
| Cross-Conduction Prevention | Yes (matched propagation delay) | — |
| dV/dt Immunity | Yes | — |
| Negative VS Transient Tolerance | Yes | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40 C to +150 C | — |
| العلبة | 8-SOIC (SOIC-8) | 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Number of Drivers | — | 2 |
| Driver Type | — | Non-Inverting |
| Maximum Offset Voltage | — | 600 V |
| Source Current (Typ.) | — | 210 mA |
| Sink Current (Typ.) | — | 360 mA |
| Propagation Delay (Typ.) | — | 160 ns |
| Rise Time (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: rise time] |
| Fall Time (Typ.) | — | [DATA_NEEDED: fall time] |
| Logic Input Compatibility | — | 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | — | Yes (VCC and VBS) |
| Negative Transient Immunity on VS | — | Yes (dV/dt immune) |
| درجة حرارة التشغيل | — | -40 C to +125 C |
| مستوى MSL | — | MSL 3 |