IR2104STRPBF vs IR2101STRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IR2104STRPBF द्वारा Infineon और IR2101STRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IR2104STRPBF IR2104STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IR2104STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IR2104STRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IR2101STRPBF IR2101STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver, 8-SOIC | Infineon

IR2101STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver, 8-SOIC | Infineon

IR2101STRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IR2104STRPBF IR2101STRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-side and low-side referenced output channels Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent
आउटपुट की संख्या 2 (high-side + low-side) —
Offset Voltage (High-Side, Max) 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Output Source Current (typ) 0.21 A —
Output Sink Current (typ) 0.36 A —
Rise Time (typ) 100 ns —
Fall Time (typ) 50 ns —
Propagation Delay (typ) 680 ns —
Turn-On Propagation Delay (typ) 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay (typ) 130 ns —
Quiescent Current (VCC/VBS, typ) 150 uA —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V logic —
Shutdown Pin Yes (active-low shutdown input) —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Cross-Conduction Prevention Yes (matched propagation delay) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative VS Transient Tolerance Yes —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40 C to +150 C —
पैकेज 8-SOIC (SOIC-8) 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Number of Drivers — 2
Driver Type — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Source Current (Typ.) — 210 mA
Sink Current (Typ.) — 360 mA
Propagation Delay (Typ.) — 160 ns
Rise Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL
Bootstrap Diode — Integrated
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
Negative Transient Immunity on VS — Yes (dV/dt immune)
ऑपरेटिंग तापमान — -40 C to +125 C
MSL स्तर — MSL 3

डेटाशीट और संसाधन

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