IR21271STRPBF vs IR2127STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR21271STRPBF بواسطة Infineon و IR2127STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR21271STRPBF IR2127STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration High-Side or Low-Side High-Side
عدد المخارج 1 1
Input Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V —
High-Side Offset Voltage 600 V max —
Peak Source Current 250 mA 250 mA
Peak Sink Current 500 mA 500 mA
Propagation Delay 200 ns typical 200 ns (typical)
زمن الصعود [DATA_NEEDED: rise time] 80 ns (typical)
زمن السقوط [DATA_NEEDED: fall time] 60 ns (typical)
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة 8-SOIC (3.90 mm) 8-SOIC (3.90 mm body)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) Pb-free (PBF), RoHS compliant
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) Yes (cycle-by-cycle comparator)
dV/dt Immunity Yes Yes (high-side floating channel)
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
Supply Voltage Range — 12 V to 20 V
Output Voltage (Offset) — up to 600 V
Input Logic — Non-Inverting
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
مستوى MSL — MSL3 (per JEDEC J-STD-020)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر