IR21531STRPBF vs IR2127STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR21531STRPBF بواسطة Infineon و IR2127STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR21531STRPBF IR2127STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration Half-Bridge High-Side
Driver Type High-side and Low-side, self-oscillating —
عدد المخارج 2 (high-side, low-side) 1
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Internal VCC Clamp 15.6 V —
High-Side Offset Voltage up to 600 V —
Peak Source/Sink Current 250 mA —
زمن الصعود 80 ns 80 ns (typical)
زمن السقوط 45 ns 60 ns (typical)
Dead-Time 0.6 microseconds (typical) —
Oscillator External RC programmable —
Bootstrap Diode Integrated —
Input Logic CMOS Schmitt-trigger (RC timing) Non-Inverting
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة 8-pin SOIC (SO-8) 8-SOIC (3.90 mm body)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
حالة RoHS Compliant (ROHS3) —
Supply Voltage Range — 12 V to 20 V
Output Voltage (Offset) — up to 600 V
Peak Source Current — 250 mA
Peak Sink Current — 500 mA
Propagation Delay — 200 ns (typical)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
مستوى MSL — MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free / RoHS — Pb-free (PBF), RoHS compliant
dV/dt Immunity — Yes (high-side floating channel)
Integrated Current Sense — Yes (cycle-by-cycle comparator)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر