IRF4905STRRPBF vs IRF4905STRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF4905STRRPBF بواسطة Infineon و IRF4905STRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF4905STRRPBF | IRF4905STRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -74 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | -260 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | ±20 V |
| RDS(on) max at VGS=-10V | 20 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2.0 V to -4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC | 120 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 170 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +175 C | — |
| العلبة | D2PAK (TO-263-3) | D2PAK (TO-263) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (Advanced Process) | HEXFET (Planar) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| FET Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -74 A |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V | — | 20 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 170 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C |
| مستوى MSL | — | 1 |