IRF4905STRRPBF vs IRF4905STRLPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF4905STRRPBF tarafından Infineon ve IRF4905STRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF4905STRRPBF | IRF4905STRLPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -74 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | -260 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | ±20 V |
| RDS(on) max at VGS=-10V | 20 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2.0 V to -4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC | 120 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 170 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +175 C | — |
| Paket | D2PAK (TO-263-3) | D2PAK (TO-263) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (Advanced Process) | HEXFET (Planar) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| FET Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -74 A |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V | — | 20 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 170 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C |
| MSL Seviyesi | — | 1 |