IRF7341GTRPBF vs IRF7319TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7341GTRPBF بواسطة Infineon و IRF7319TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7341GTRPBF IRF7319TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 5.1 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) 2.4 W —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Configuration Dual N-Channel N-Channel + P-Channel (complementary half-bridge)
Technology IR HEXFET Planar MOSFET IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET
العلبة 8-SO (SOIC-8) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C -55C to +150C (junction)
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Type — Dual MOSFET Array (N-channel + P-channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current N-channel (ID) — 6.5 A
Continuous Drain Current P-channel (ID) — 4.9 A
RDS(on) Max N-channel — 29 mOhm (per Infineon product page)
RDS(on) Max P-channel — [DATA_NEEDED: P-channel RDS(on) max]
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient N-ch — 120 C/W (steady state)
Thermal Resistance Junction-to-Ambient P-ch — 110 C/W (steady state)
Package Type — 8-SOIC (SO-8)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = Pb-free)
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر