IRF7341GTRPBF vs IRF7319TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7341GTRPBF توسط Infineon و IRF7319TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7341GTRPBF IRF7319TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 5.1 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) 2.4 W —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Configuration Dual N-Channel N-Channel + P-Channel (complementary half-bridge)
Technology IR HEXFET Planar MOSFET IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET
بسته‌بندی 8-SO (SOIC-8) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C -55C to +150C (junction)
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Type — Dual MOSFET Array (N-channel + P-channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current N-channel (ID) — 6.5 A
Continuous Drain Current P-channel (ID) — 4.9 A
RDS(on) Max N-channel — 29 mOhm (per Infineon product page)
RDS(on) Max P-channel — [DATA_NEEDED: P-channel RDS(on) max]
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient N-ch — 120 C/W (steady state)
Thermal Resistance Junction-to-Ambient P-ch — 110 C/W (steady state)
Package Type — 8-SOIC (SO-8)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = Pb-free)
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت