IRF7342PBF vs IRF7342TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7342PBF بواسطة Infineon و IRF7342TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7342PBF IRF7342TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF7342PBF IRF7342TRPBF
Original Mfr International Rectifier (now Infineon) —
Technology HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel
Configuration Dual P-Channel (2 independent MOSFETs) Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package)
Drain-Source Voltage V(DSS) -55 V —
Continuous Drain Current I(D) 3.4 A —
On-Resistance R(DS(on)) 0.105 ohm —
Power Dissipation P(D) 2 W —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
العلبة / الحالة 8-SOIC (SO-8) —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +150 C (Tj)
Gate Threshold Vgs(th) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Switching Frequency Optimization < 100 kHz —
حالة RoHS Compliant —
Halogen Status Halogen-Free —
Qualification JEDEC standard —
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) — -3.4 A at 25 C
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.105 ohm max at VGS = -10 V
Maximum Power Dissumption (Pd) — 2 W
العلبة — 8-SOIC (SO-8), surface mount
Packaging — Tape and Reel (TR)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant)
Channel Type — P-Channel (enhancement mode)
Number of Channels — 2 (dual array)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر