IRF7342PBF vs IRF7342TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7342PBF توسط Infineon و IRF7342TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7342PBF IRF7342TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF7342PBF IRF7342TRPBF
Original Mfr International Rectifier (now Infineon) —
Technology HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel
Configuration Dual P-Channel (2 independent MOSFETs) Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package)
Drain-Source Voltage V(DSS) -55 V —
Continuous Drain Current I(D) 3.4 A —
On-Resistance R(DS(on)) 0.105 ohm —
Power Dissipation P(D) 2 W —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
بسته‌بندی / کیس 8-SOIC (SO-8) —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +150 C (Tj)
Gate Threshold Vgs(th) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Switching Frequency Optimization < 100 kHz —
وضعیت RoHS Compliant —
Halogen Status Halogen-Free —
Qualification JEDEC standard —
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) — -3.4 A at 25 C
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.105 ohm max at VGS = -10 V
Maximum Power Dissumption (Pd) — 2 W
بسته‌بندی — 8-SOIC (SO-8), surface mount
Packaging — Tape and Reel (TR)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant)
Channel Type — P-Channel (enhancement mode)
Number of Channels — 2 (dual array)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت