IRF7342TRPBF vs IRF7343TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7342TRPBF بواسطة Infineon و IRF7343TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7342TRPBF IRF7343TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Part Number IRF7342TRPBF —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel IR MOSFET (HEXFET Generation V)
Configuration Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package) —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) -3.4 A at 25 C —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.105 ohm max at VGS = -10 V —
Maximum Power Dissumption (Pd) 2 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +150 C (Tj) —
العلبة 8-SOIC (SO-8), surface mount 8-SOIC (SO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) —
Channel Type P-Channel (enhancement mode) —
Number of Channels 2 (dual array) —
Part Status — Active
نوع الترانزستور — N and P-Channel Complementary MOSFET Array
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel — 55 V
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel — 55 V
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel — 4.7 A
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel — 3.4 A
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel — 0.043 ohm (typical per chipdig.com)
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm
Power Dissipation (PD) — 2 W
Lead-Free — Yes
RoHS Compliance — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر