IRF7342TRPBF vs IRF7343TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7342TRPBF tarafından Infineon ve IRF7343TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF7342TRPBF IRF7343TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Part Number IRF7342TRPBF —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel IR MOSFET (HEXFET Generation V)
Configuration Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package) —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) -3.4 A at 25 C —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.105 ohm max at VGS = -10 V —
Maximum Power Dissumption (Pd) 2 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (Tj) —
Paket 8-SOIC (SO-8), surface mount 8-SOIC (SO-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) —
Channel Type P-Channel (enhancement mode) —
Number of Channels 2 (dual array) —
Part Status — Active
Transistor Türü — N and P-Channel Complementary MOSFET Array
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel — 55 V
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel — 55 V
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel — 4.7 A
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel — 3.4 A
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel — 0.043 ohm (typical per chipdig.com)
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm
Power Dissipation (PD) — 2 W
Lead-Free — Yes
RoHS Compliance — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin