IRF7342TRPBF vs IRF7343TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF7342TRPBF מאת Infineon ו IRF7343TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF - 55V Dual N/P-Channel MOSFET | Infineon

IRF7343TRPBF - 55V Dual N/P-Channel MOSFET | Infineon

IRF7343TRPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IRF7342TRPBF IRF7343TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Part Number IRF7342TRPBF —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel IR MOSFET (HEXFET Generation V)
Configuration Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package) —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) -3.4 A at 25 C —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.105 ohm max at VGS = -10 V —
Maximum Power Dissumption (Pd) 2 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +150 C (Tj) —
מארז 8-SOIC (SO-8), surface mount 8-SOIC (SO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) —
Channel Type P-Channel (enhancement mode) —
Number of Channels 2 (dual array) —
Part Status — Active
סוג טרנזיסטור — N and P-Channel Complementary MOSFET Array
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel — 55 V
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel — 55 V
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel — 4.7 A
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel — 3.4 A
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel — 0.043 ohm (typical per chipdig.com)
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm
Power Dissipation (PD) — 2 W
Lead-Free — Yes
RoHS Compliance — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר