IRF7343TRPBF vs IRF7313TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7343TRPBF بواسطة Infineon و IRF7313TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF7343TRPBF | IRF7313TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon (formerly International Rectifier) |
| Part Status | Active | — |
| نوع الترانزستور | N and P-Channel Complementary MOSFET Array | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET Generation V) | IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel | 55 V | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) - N-Channel | 4.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) - P-Channel | 3.4 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel | 0.043 ohm (typical per chipdig.com) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 50 mOhm | 29 mOhm at VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) | 2 W | — |
| العلبة | 8-SOIC (SO-8) | 8-pin SOIC (SO-8) surface mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free | Yes | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Part Number | — | IRF7313TRPBF |
| Transistor Configuration | — | Dual N-Channel (Independent) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 6.5 A per channel |
| Power Dissipation (PD) max | — | 2 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: ±V rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.5 V (typical range) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (junction) |
| Lead-Free / Pbf | — | Yes (lead-free plating) |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| مستوى MSL | — | 1 |
| Qualification Standard | — | Consumer market (per IR datasheet) |
| Shipping Media | — | Tape & Reel (TRPBF suffix) |