IRF7351TRPBF vs IRF7105PBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7351TRPBF بواسطة Infineon و IRF7105PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7351TRPBF IRF7105PBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF7351TRPBF IRF7105PBF
Configuration Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 8 A —
On-Resistance RDS(on) max 17.8 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) 0.0137 ohm (13.7 mOhm) —
Total Gate Charge (Qg) 24 nC —
Power Dissipation (PD) 2 W —
Technology IR MOSFET (HEXFET trench) HEXFET (Fifth Generation)
العلبة 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) —
Typical Application Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters —
حالة RoHS Compliant (PBF suffix = lead-free) —
Lead-Free Yes —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
FET Type — N-Channel and P-Channel (Dual, Complementary)
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — 25 V
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — 25 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 3.5 A
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A
Total Package Power Dissipation (PD) — 2 W
العلبة / الحالة — 8-SOIC (SO-8)
عدد الأطراف — 8
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
RoHS Compliance — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Qualification — Industrial
Soldering Compatibility — Vapor Phase, Infrared, Wave
dv/dt Rating — Dynamic (rated per datasheet)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر