IRF7351TRPBF vs IRF7105PBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF7351TRPBF מאת Infineon ו IRF7105PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF7351TRPBF IRF7105PBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF7351TRPBF IRF7105PBF
Configuration Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 8 A —
On-Resistance RDS(on) max 17.8 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) 0.0137 ohm (13.7 mOhm) —
Total Gate Charge (Qg) 24 nC —
Power Dissipation (PD) 2 W —
Technology IR MOSFET (HEXFET trench) HEXFET (Fifth Generation)
מארז 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה -55C to +150C (junction) —
Typical Application Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters —
סטטוס RoHS Compliant (PBF suffix = lead-free) —
Lead-Free Yes —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
FET Type — N-Channel and P-Channel (Dual, Complementary)
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — 25 V
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) — 25 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 3.5 A
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 2.3 A
Total Package Power Dissipation (PD) — 2 W
מארז / Case — 8-SOIC (SO-8)
מספר פינים — 8
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
RoHS Compliance — Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Qualification — Industrial
Soldering Compatibility — Vapor Phase, Infrared, Wave
dv/dt Rating — Dynamic (rated per datasheet)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר