IRF8736PBF vs BSO150N03MDGXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF8736PBF بواسطة Infineon و BSO150N03MDGXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF8736PBF BSO150N03MDGXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=70°C [DATA_NEEDED: ID at TA=70°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 4.8 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 6.0 mΩ (typical) —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Logic-level (optimized for 5 V drive) —
Total Gate Charge Qg 17 nC (typical) —
Maximum Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C (junction) -55C to +150C
العلبة SO-8 (8-SO) PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (Unlimited) 1 (unlimited)
RoHS / Lead-Free Lead-Free, RoHS3 Compliant —
Qualification Standard JEDEC —
Avalanche Rated Yes (fully characterized avalanche voltage and current) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSO150N03MDGXUMA1
Product Type — Dual N-Channel MOSFET Array
Technology — OptiMOS 3M (30V trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) max per channel — 9.3 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 15 mOhm at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 1.0 V
Power Dissipation (PD) max — 1.4 W
حالة RoHS — Compliant
Channel Configuration — Dual N-Channel (independent)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر