IRF8736PBF vs BSO150N03MDGXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF8736PBF מאת Infineon ו BSO150N03MDGXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF8736PBF BSO150N03MDGXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=70°C [DATA_NEEDED: ID at TA=70°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 4.8 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 6.0 mΩ (typical) —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Logic-level (optimized for 5 V drive) —
Total Gate Charge Qg 17 nC (typical) —
Maximum Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +150°C (junction) -55C to +150C
מארז SO-8 (8-SO) PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 1 (Unlimited) 1 (unlimited)
RoHS / Lead-Free Lead-Free, RoHS3 Compliant —
Qualification Standard JEDEC —
Avalanche Rated Yes (fully characterized avalanche voltage and current) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSO150N03MDGXUMA1
Product Type — Dual N-Channel MOSFET Array
Technology — OptiMOS 3M (30V trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) max per channel — 9.3 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 15 mOhm at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 1.0 V
Power Dissipation (PD) max — 1.4 W
סטטוס RoHS — Compliant
Channel Configuration — Dual N-Channel (independent)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר