IRFB3207ZPBF vs IRFB3306PBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFB3207ZPBF بواسطة Infineon و IRFB3306PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFB3207ZPBF IRFB3306PBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRFB3207ZPBF —
Series HEXFET —
Technology N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) IR HEXFET (MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A —
Silicon-Limited Drain Current 170 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 300 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C -55°C to +175°C
العلبة TO-220AB (3-lead through-hole) TO-220AB (through-hole)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
مستوى MSL N/A (through-hole) —
Avalanche Rated Yes (improved Z-variant ruggedness) Yes
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C — 120 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Rds(on) max @ Vgs=10V — 4.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Gate-Drain Charge (Qgd) typ — 26 nC (nominal)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C — 230 W
RoHS / Lead-Free (PbF) — Yes (PbF suffix indicates lead-free, RoHS compliant)
Body Diode — Intrinsic (avalanche-rated)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر