IRFH5301TRPBF vs BSC050N04LSGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFH5301TRPBF بواسطة Infineon و BSC050N04LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFH5301TRPBF | BSC050N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | HEXFET (StrongIRFET) | OptiMOS 3 (trench MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (TA, 25C) | 35 A | — |
| Continuous Drain Current (TC, 25C) | 100 A | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 1.85 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 37 nC (typical) | — |
| Power Dissipation (TA) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 110 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| العلبة | PQFN (5x6 mm) Single Die | PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive Logic Level | Optimized for 5 V VGS drive | — |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, Halogen-free | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) | — | 18 A |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) | — | 85 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 57 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse avalanche) |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| مستوى MSL | — | 1 |