IRFH5301TRPBF vs BSC050N04LSGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFH5301TRPBF द्वारा Infineon और BSC050N04LSGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFH5301TRPBF | BSC050N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | HEXFET (StrongIRFET) | OptiMOS 3 (trench MOSFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (TA, 25C) | 35 A | — |
| Continuous Drain Current (TC, 25C) | 100 A | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 1.85 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 37 nC (typical) | — |
| Power Dissipation (TA) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 110 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C |
| पैकेज | PQFN (5x6 mm) Single Die | PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive Logic Level | Optimized for 5 V VGS drive | — |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, Halogen-free | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) | — | 18 A |
| Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) | — | 85 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 57 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] |
| On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse avalanche) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| MSL स्तर | — | 1 |