IRFL024ZTRPBF vs IRFR3710ZTRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFL024ZTRPBF بواسطة Infineon و IRFR3710ZTRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFL024ZTRPBF | IRFR3710ZTRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | MOSFET (Metal Oxide), HEXFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 5.1 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | 57.5 mOhm | — |
| Gate Charge (Qg) Typ | 9.1 nC | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | 1 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | — |
| العلبة | SOT-223 | TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 (+ drain tab) | — |
| مستوى MSL | 1 | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free PBF suffix) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) | — | 42 A |
| Max Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 18 mOhm |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | — | [DATA_NEEDED: Vgs max rating] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 69 nC |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | — | 140 W |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | — | 150 mJ |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per Lisleapex listing) |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55 C to +175 C (TJ) |