IRFL024ZTRPBF vs IRFR3710ZTRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFL024ZTRPBF توسط Infineon و IRFR3710ZTRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFL024ZTRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFL024ZTRPBF ✓ فعال
Infineon
IRFR3710ZTRLPBF IRFR3710ZTRLPBF - 100V 42A HEXFET N-MOSFET DPAK | Infineon

IRFR3710ZTRLPBF - 100V 42A HEXFET N-MOSFET DPAK | Infineon

IRFR3710ZTRLPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFL024ZTRPBF IRFR3710ZTRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET) MOSFET (Metal Oxide), HEXFET
Drain-Source Voltage (Vds) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 5.1 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Rds(on) Max at Vgs=10V 57.5 mOhm —
Gate Charge (Qg) Typ 9.1 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 1 W —
محدوده دمای کاری -55C to +150C —
بسته‌بندی SOT-223 TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 3 (+ drain tab) —
سطح MSL 1 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Lead-Free Yes —
Drain to Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) — 42 A
Max Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10V — 18 mOhm
Gate-Source Voltage (Vgs) max — [DATA_NEEDED: Vgs max rating]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Total Gate Charge (Qg) — 69 nC
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 140 W
Avalanche Energy Rating (EAS) — 150 mJ
Maximum Junction Temperature — 175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Lisleapex listing)
Configuration — Single with built-in diode
دمای کاری — -55 C to +175 C (TJ)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت