IRFL024ZTRPBF vs IRFR3710ZTRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFL024ZTRPBF tarafından Infineon ve IRFR3710ZTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFL024ZTRPBF IRFR3710ZTRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET) MOSFET (Metal Oxide), HEXFET
Drain-Source Voltage (Vds) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 5.1 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Rds(on) Max at Vgs=10V 57.5 mOhm —
Gate Charge (Qg) Typ 9.1 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C 1 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C —
Paket SOT-223 TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (+ drain tab) —
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Durumu Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Lead-Free Yes —
Drain to Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) — 42 A
Max Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10V — 18 mOhm
Gate-Source Voltage (Vgs) max — [DATA_NEEDED: Vgs max rating]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Total Gate Charge (Qg) — 69 nC
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 140 W
Avalanche Energy Rating (EAS) — 150 mJ
Maximum Junction Temperature — 175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Lisleapex listing)
Configuration — Single with built-in diode
İşletim Sıcaklığı — -55 C to +175 C (TJ)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin