IRFR220NTRLPBF vs IRFR220NPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR220NTRLPBF بواسطة Infineon و IRFR220NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IRFR220NTRLPBF IRFR220NPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Polarity N-Channel —
Mode Enhancement —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 5 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.800 ohm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate-to-Drain Charge (Qgd) Low (per datasheet - HEXFET design) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 43 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) -55C to +150C (junction)
العلبة TO-252AA (DPAK), 2 Leads + Tab, SC-63 —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Packaging Tape & Reel (Left orientation - TRLPBF) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Technology Family HEXFET, Planar, Generation 3 —
FET Type — N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 5 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 43 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 0.6 ohm at VGS = 10 V
العلبة / الحالة — TO-252AA (DPAK)
Technology — HEXFET (Planar)
Lead-Free / RoHS — Yes, lead-free (PBF suffix)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet characterization)
عدد الأطراف — 3 (Gate, Drain, Source) plus tab

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر