IRFR220NTRLPBF vs IRFR220NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR220NTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFR220NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR220NTRLPBF IRFR220NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
Mode Enhancement —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 200 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 5 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.800 ohm (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate-to-Drain Charge (Qgd) Low (per datasheet - HEXFET design) —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 43 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55C to +150C (junction)
پیکیج TO-252AA (DPAK), 2 Leads + Tab, SC-63 —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Packaging Tape & Reel (Left orientation - TRLPBF) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Technology Family HEXFET, Planar, Generation 3 —
FET Type — N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 5 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 43 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 0.6 ohm at VGS = 10 V
پیکیج / کیس — TO-252AA (DPAK)
Technology — HEXFET (Planar)
Lead-Free / RoHS — Yes, lead-free (PBF suffix)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet characterization)
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source) plus tab

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں