IRFR220NTRPBF vs IRFR3411TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR220NTRPBF بواسطة Infineon و IRFR3411TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFR220NTRPBF IRFR3411TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET (IR)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V 600 milliohm —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC (typical per Mouser listing) —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C 43 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +150°C —
العلبة TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) —
حالة RoHS Compliant (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (fully characterized) —
Lead-Free Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating) —
Polarity — N-Channel
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 100 V
RDS(on) max @ VGS=10V — 44 mOhm
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 32 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 130 W
Gate Charge (Qg) — 48 nC
Operating Mode — Enhancement
Maximum Junction Temperature — 175 C
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +175 C
عدد الدبابيس — 3
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
dv/dt Rating — Dynamic dv/dt rated
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-free, PBF suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر