IRFR220NTRPBF vs IRFR3411TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR220NTRPBF tarafından Infineon ve IRFR3411TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR220NTRPBF IRFR3411TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET (IR)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V 600 milliohm —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC (typical per Mouser listing) —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C 43 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +150°C —
Paket TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Durumu Compliant (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (fully characterized) —
Lead-Free Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating) —
Polarity — N-Channel
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 100 V
RDS(on) max @ VGS=10V — 44 mOhm
Continuous Drain Current (Id) @ Tc — 32 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Pd) @ Tc — 130 W
Gate Charge (Qg) — 48 nC
Operating Mode — Enhancement
Maximum Junction Temperature — 175 C
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C
Pin Sayısı — 3
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
dv/dt Rating — Dynamic dv/dt rated
Lead-Free / RoHS — Yes (Lead-free, PBF suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin