IRFR220NTRPBF vs IRLR120NTRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR220NTRPBF بواسطة Infineon و IRLR120NTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFR220NTRPBF IRLR120NTRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (Fifth Generation, planar)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V 600 milliohm —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC (typical per Mouser listing) 13.3 nC
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C 43 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +150°C —
العلبة TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1
حالة RoHS Compliant (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (fully characterized) —
Lead-Free Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 10 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed Idm]
Rds(on) Max at Vgs=10V — 185 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 48 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C (junction)
Avalanche Energy Rating — Fully avalanche rated
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر