IRFR220NTRPBF vs IRLR120NTRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR220NTRPBF tarafından Infineon ve IRLR120NTRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR220NTRPBF IRLR120NTRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (Fifth Generation, planar)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V 600 milliohm —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC (typical per Mouser listing) 13.3 nC
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C 43 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +150°C —
Paket TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), 3-pin surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) 1
RoHS Durumu Compliant (PBF suffix) —
Avalanche Energy Rated Yes (fully characterized) —
Lead-Free Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating) —
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 10 A
Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed Idm]
Rds(on) Max at Vgs=10V — 185 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 48 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (junction)
Avalanche Energy Rating — Fully avalanche rated
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin