IRFR3710ZTRLPBF vs IRFR6215TRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR3710ZTRLPBF بواسطة Infineon و IRFR6215TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR3710ZTRLPBF | IRFR6215TRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide), HEXFET | HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) | 42 A | — |
| Max Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 18 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) max | [DATA_NEEDED: Vgs max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 69 nC | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 140 W | — |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | 150 mJ | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| العلبة | TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab) | TO-252AA (DPAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per Lisleapex listing) | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C (TJ) | — |
| حالة RoHS | Compliant (Pb-free PBF suffix) | Compliant |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | -13 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max at VGS=-10V | — | 580 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | 44 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| Maximum Operating Junction Temperature | — | 175 C |
| مستوى MSL | — | 1 |
| Lead-Free | — | Yes |