IRFR3710ZTRLPBF vs IRFR6215TRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR3710ZTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFR6215TRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFR3710ZTRLPBF IRFR3710ZTRLPBF - 100V 42A HEXFET N-MOSFET DPAK | Infineon

IRFR3710ZTRLPBF - 100V 42A HEXFET N-MOSFET DPAK | Infineon

IRFR3710ZTRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR3710ZTRLPBF IRFR6215TRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), HEXFET HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) 42 A —
Max Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=10V 18 mOhm —
Gate-Source Voltage (Vgs) max [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Total Gate Charge (Qg) 69 nC —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 140 W —
Avalanche Energy Rating (EAS) 150 mJ —
Maximum Junction Temperature 175 C —
پیکیج TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab) TO-252AA (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (per Lisleapex listing) —
Configuration Single with built-in diode —
آپریٹنگ درجہ حرارت -55 C to +175 C (TJ) —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -13 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 580 mOhm
Total Gate Charge (Qg) typ — 44 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Maximum Operating Junction Temperature — 175 C
MSL لیول — 1
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں