IRFR3710ZTRPBF vs IRF540ZPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR3710ZTRPBF بواسطة Infineon و IRF540ZPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFR3710ZTRPBF IRF540ZPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS)
العلبة TO-252AA (DPAK) TO-220AB (through-hole, 3-lead)
نوع التركيب Surface Mount Through Hole
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF540ZPBF
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C — 36 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 26.5 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 42 nC
Power Dissipation (P_D) at T_C=25C — 92 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
عدد الأطراف — 3 (Gate, Drain, Source)
Automotive Qualified — Yes (per datasheet description)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر